美银证券最新研究报告指出 ，全球存储芯片行业商业模式正日益趋近芯片代工行业 ，展现出周期性减弱、价格稳定和利润率提升的“类代工”特征。这一转型受到多重因素的支撑，包括2026年初DRAM与NAND现货价格的大幅上涨 ，其中DDR4价格单月涨幅超过2000% ，以及台积电强劲的业绩指引，这些都印证了产业链的高景气度 ，对SK海力士等存储龙头企业构成利好。
在近期美国东西海岸的路演中 ，美银团队观察到多数投资者认可当前存储周期的强度远超以往，并已从中获得可观回报 。然而 ，市场情绪出现分化 ，一部分投资者坚定看好AI驱动行业长期繁荣，而另一部分则担忧估值已高和后续动能的可持续性 。
投资者关注的风险点包括：行业经历2-3年上涨后市净率处于历史高位；资本支出持续上升 ，如三星电子等龙头企业的大幅扩产；2026年下半年后平均售价(ASP)上涨动力可能放缓；市场对2019年云计算硬件周期后的需求回调记忆犹新；以及IT生产节奏与DRAM供应之间的结构性矛盾。
尽管存在这些担忧 ，报告提出的核心逻辑——存储行业正转向“高利润、稳价格 、弱周期 ”的运营模式——仍获得广泛认同 。即使2026年第二季度后ASP上涨动能可能减弱，行业仍有望维持高景气区间，形成以利润率为核心的“超级周期 ” 。此外 ，传统DRAM产能正加速转向HBM或向LPDDR5/GDDR7等高端产品升级 ，多芯片集成方案的销售也延续增长趋势。
台积电增长指引利好海力士，三星承压明显台积电近期公布的业绩指引被视为行业关键风向标：公司预计2026年营收复合增长率将达30% ，并到2029年保持年均超过20%的增速 ，年资本支出将维持在500亿美元以上 。这一乐观展望与SK海力士在HBM市场的领先地位紧密相关，后者目前占据全球HBM供应份额的60%以上 。
台积电凭借其在2纳米制程与CoWoS先进封装技术的持续领先 ，不断巩固技术壁垒 ，限制了三星电子在晶圆代工领域的追赶空间。财务对比亦凸显差距：三星晶圆代工业务仍处亏损，而台积电营业利润率长期高于50% 。在此产业联动下 ，SK海力士作为台积电核心HBM供应商的战略地位进一步强化 ，不仅巩固了其在存储芯片领域的竞争优势，也推动了从先进制程 、高端封装到高性能存储的闭环生态的形成 。
现货价格狂飙 供应持续紧缩报告指出 ，DRAM现货市场正呈现极度紧张态势。今年1月上半月 ，DDR4与DDR5现货价格延续强势，周涨幅均达约10%，延续了自2025年第四季度以来累计100%-200%的上涨趋势 。
产品规格 现货价格（美元） 周涨幅 季涨幅 年涨幅 16Gb DDR5 35.0 10% 238% 647% 16Gb DDR4 75.8 7% 323% 2315% 8Gb DDR4 29.1 - - 1886%值得关注的是 ，DDR4现货价格出现结构性“倒挂”：自2025年6月起 ，16Gb DDR4价格（75美元）已显著高于同规格DDR5（35美元），形成罕见的价格倒挂现象 。这主要源于三大存储芯片制造商持续将传统DDR4产能转向更先进制程 ，导致DDR4供给端持续紧缩。
目前 ，制造商与OEM厂商对传统DRAM模组的供应保障仍存担忧。报告预计现货价格仍具进一步上涨动力，尽管当前涨势部分受投机交易推动 ，而非完全由实际需求支撑 。此外 ，NAND现货价格同样保持上扬，本周涨幅介于5%-10%之间 。
韩国半导体出口数据持续印证行业高景气度。2026年1月前10天 ，半导体出口额达46亿美元 ，同比大幅增长46%，虽环比回落12% ，仍处于历史高位水平 。至此 ，韩国半导体出口已连续25个月实现同比增长，增速与2025年11月（+18%）及12月（+46%）的高位态势保持一致 。
展望后市，建议投资者重点关注2026年下半年NAND市场潜在的供需机遇 ，同时密切关注资本开支扩张对行业长期盈利结构的影响。整体而言 ，存储芯片行业向“类晶圆代工 ”模式的结构性转型，正推动板块突破传统周期性估值逻辑 ，开启具备持续性的价值重估进程 。
