根据TrendForce集邦咨询的调查 ，存储器平均销售价格(ASP)的持续提升带动了供应商获利的增加 ，预计DRAM与NAND Flash的资本支出将持续上涨。然而，这种增长对于2026年的位元产出增长的助力有限 ，因为产业的投资重心正在从扩充产能转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。
DRAM产业资本支出预测 年份 资本支出（亿美元） 年增长率 2025 537 - 2026 613 14%在DRAM供应商中 ，Micron（美光科技）预计在2026年的资本支出将达到135亿美元，年增23% ，主要投资于1 gamma制程渗透和TSV设备建置 。SK hynix（SK海力士）预计为205亿美元 ，年增17%，以应对M15x的HBM4产能扩张 。Samsung（三星）预计投入200亿美元 ，年增11% ，用于HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L晶圆产能。
NAND Flash产业资本支出预测 年份 资本支出（亿美元） 年增长率 2025 211 - 2026 222 5%在NAND Flash供应商中，Kioxia/SanDisk（铠侠/闪迪）预计投入45亿美元 ，年增41% ，加速BiCS8生产并投资BiCS9研发 。Micron预计资本支出年增幅达63%，目标是微幅增加NAND Flash产能并专注于G9制程和Enterprise SSD业务 。相比之下，Samsung和SK Hynix/Solidigm（思得）则将缩减或限制NAND Flash资本支出 ，优先将投资转向HBM和DRAM领域。
TrendForce集邦咨询指出 ，无尘室空间供应不足，仅有Samsung与SK hynix有小幅扩大产线的机会 ，而Micron需等待其美国ID1新厂落成 ，最快2027年才能有产出，因此任何后续上修的资本支出对2026年的位元产出贡献非常有限 。
NAND Flash产业需求的爆发主要受AI对储存容量需求的急速攀升 ，以及HDD供应不足导致云端服务供应商(CSP)转单所带动 。此现象属于结构性短缺 ，而非短暂的市场波动。由于过去数年产业经历多次景气循环，部分厂商在资本支出与扩产策略上趋于保守 。随着2026年资本支出重心放在制程升级和导入hybrid-bonding而非扩产 ，将导致供应位元增幅有限 ，TrendForce集邦咨询认为，NAND Flash市场的供不应求状态预计将延续2026年全年 。
